COMPATEL ELEKTRONIKAI WEBÁRUHÁZ

     
    

 

Ugrás a pénztárba!
 
*Akciós áruk
*Alkatrészek
     * Aktív
         *Converter AD-DA
         *Converter/Power Switch
         *DIÓDA
         *Egyenirányító hidak
         *Érzékelők
         *Feszültség szabályozó/stabilizátor
         *Integrált áramkör
         *LED szalagok
         *Optoelektronika
         *RF Alkatrészek/Modulok
         *Tranzisztor
             *2N
             *2SA
             *2SB
             *2SC
             *2SD
             *2SJ
             *2SK
             *3N
             *BC
             *BD
             *BFxx
             *BUx
             *Egyéb Tranzisztor
             *IGBT
             *IRFx
             *MJ
             *MPSA
             *RF
             *TIP
             *Tranzisztor Modulok
         *Triakok/Tirisztorok
     * Elektromechanikai alkatrészek
     * Relék
     * Transzformátor
     *Passzív
*Elektronika
*Kaputelefonok
*Műanyag házak
*Műanyag tárolók
*Műszerek/Labor tápegységek
*Mérő állomás
*Modulok
*Szerszámok
*Szolgáltatás
*Távközlés
*Vegyianyagok

Főoldal : *Alkatrészek : * Aktív : *Tranzisztor : *2SJ :

2SJ512
nagyítás...

2SJ512

(2 szavazat(ok))

kosárba
Ár: 420,- Ft + ÁFA (Brutto: 533.40,- Ft)
Termék kód: TRZ10508

Raktáron: Igen


Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications
- Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 1.0 Ω (typ.)
- High forward transfer admittance : |Yfs| = 3.7 S (typ.)
- Low leakage current : IDSS = −100 μA (max) (VDS = −250 V)
- Enhancement mode : Vth = −1.5~−3.5 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Drain−source voltage VDSS: −250 V
Drain−gate voltage (RGS = 20 kΩ) VDGR: −250 V
Gate−source voltage VGSS: ? 20 V
Drain current - DC (Note 1): ID −5 A
- Pulse (Note 1): IDP −20 A
Drain power dissipation (Tc = 25°C): PD 30 W
Single pulse avalanche energy(Note 2): EAS 155 mJ
Avalanche current IAR: −5 A
Repetitive avalenche energy (Note 3) EAR: 3.0 mJ
Channel temperature Tch: 150 °C
Storage temperature range Tstg: −55~150 °C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (?Handling Precautions?/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.
Note 2: VDD = −50 V, Tch = 25°C (initial), L = 10.5 mH, RG = 25 Ω, IAR = −5 A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature.
This transistor is an electrostatic-sensitive device.
Please handle with caution.

Kiváló

Közepes
Elégséges
Elégtelen

 

Copyright © Compatel WerbySoft. All rights reserved.